闻泰科技：自主设计研发的IGBT系列产品已流片成功模拟 IC 等新产品研发方向

3 月 9 日晚间，闻泰科技发布公告称，全资子公司 NexperiaB.V.于 2021 年设立了中国研究院，专注高压功率器件，模拟 IC 等新产品研发方向目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求

公告显示，IGBT 是电源转换的核心器件，也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快，载流密度大等特点，并拥有广泛的应用市场，主要面向新能源汽车，光伏 / 风力发电，智能电网，大功率电源，工业控制，家电产品等领域其市场空间大，技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累，是半导体里的优质赛道

闻泰科技表示，IGBT 流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性目前公司生产经营正常，各项业务有序开展，公司将视相关产品及项目的进展情况持续履行信息披露义务

发展关键点3:材料迭代。功率半导体还专注于材料的迭代，现有第三代半导体材料可有效提升原有硅基材料的性能，突破原有器件性能天花板。以SiC，GaN等第三代半导体材料为基础的功率半导体可在更高频，更高压的环境下工作，性能上超过原有Si基IGBT和Si基MOSFET，且原有的成本问题也不断得到了优化。

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