没有透露新产品架构根据提供的图像我们可以假设一款双平面3DNAND芯片

，尽管尚未发布实际产品，但三星电子现在宣布，它已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第八代V—NAND。

新一代内存芯片可以带来2400MTps的传输速度，配合高端master使用可以轻松让消费级SSD的传输速度超过12GBps。

据介绍，第8代V—NAND可以提供1Tb的解决方案三星电子没有透露IC的尺寸和实际密度，但他们称之为业界最高的位密度

三星声称，与现有的相同容量的闪存芯片相比，其新一代3D NAND闪存可以将单晶生产率提高20%，从而进一步降低成本，这可能意味着大家有望购买更便宜的相同容量的SSD。

该公司没有透露新产品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一款双平面3D NAND芯片。

三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示，伴随着市场对更密集和更大存储的需求推动V—NAND层数的增加，三星采用了先进的3D压缩技术来减少表面积和高度，同时避免了压缩过程中通常会发生的单元间干扰我们的第八代V—NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更加差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础

今年，三星推出了第八代和第九代V—NAND产品以及第五代DRAM产品在此之前，该公司目前为V—NAND提供512 Gb三级单元产品

另外，第五代DRAM产品将是10nm器件，2023年进入量产阶段据本站报道，三星即将推出的其他DRAM解决方案包括32gb ddr5x dram，8.5 Gbps LPDDR5X DRAM和36 Gbps GDDR7 DRAM

三星对其V—NAND声称，将在2030年前建造1000层的V—NAND为了实现这一目标，三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元架构，以增加密度和支持更多层

三星还将在DRAM的研发方面投入更多资源，研究新的架构和材料，如High—K，帮助将DRAM扩展到10nm以上该公司打算进一步开发其他DRAM解决方案，如内存处理

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。