东芝推出面向更高效工业设备的第3代SiCMOSFET

今天，我们宣布推出一款新的功率器件——第三代碳化硅MOSFETtwxxnxxc系列该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗该系列的10个产品，包括5个1200V产品和5个650V产品，今天已经发货

新产品单位面积导通电阻a)下降约43%，从而漏源导通电阻×栅漏电荷×Qgd下降约80%，是反映导通损耗与开关损耗关系的重要指标这可以将开关损耗降低约20%，同时降低导通电阻和开关损耗因此，新产品有助于提高设备的效率

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