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虽然ASML计划明年制造下一代高NA掩模对准器的原型它是世界尖端产业的产品

作者:如思    栏目:行业    来源:IT之家   发布时间:2022-05-30 16:36   阅读量:17791   

内容摘要:感谢IT家庭用户在华南吴彦祖的线索传递! 半导体行业已经花了十多年时间为极紫外光刻做准备,新的高NAEUV光刻将比这更快。 目前最先进的芯片是4/5纳米技术,三星和TSMC将在下半年能够量产3纳米技术对于使用ASMLEUV光刻技术的Tw...

感谢IT家庭用户在华南吴彦祖的线索传递!

半导体行业已经花了十多年时间为极紫外光刻做准备,新的高NA EUV光刻将比这更快。

目前最先进的芯片是4/5纳米技术,三星和TSMC将在下半年能够量产3纳米技术对于使用ASML EUV光刻技术的Twinscan NXE:3400C和类似系统,它们中的大多数都具有0.33 NA的光学器件,可以提供13 nm的分辨率

目前这个分辨率尺寸足够7 nm/6 nm节点和5nm 单模,但是伴随着30 nm以下节距的到来,13 nm分辨率可能需要双曝光技术,这将是未来几年的主流方式。

针对后3 nm时代,ASML及其合作伙伴正在开发一款全新的EUV光刻机——Twinscan EXE:5000系列,它将拥有0.55 NA的镜头,分辨率为8nm,以尽可能避免3nm及以上节点的双重或多重曝光。

本站了解到,目前单曝光的EUV技术在三星和TSMC的技术中都可以使用,但是当节点技术先进到5nm时,就需要引入双曝光技术对于主要的晶圆代工厂,主要目标是尽可能避免两次或多次曝光

当然,目前我们的193nm浸没式DUV可以通过多次曝光实现7nm工艺,这也是TSMC早期7nm阶段使用的技术,但是这种技术更加复杂,对成品率,设备,成本都有很大的挑战,这也是目前EUV技术相比DUV最大的优势。

自2011年以来,22纳米和16纳米/14纳米FinFET晶体管结构已用于芯片制造这种结构的优点是速度快,能耗低,但缺点也很明显:制造难度大,成本太高也正因为如此,节点技术的升级从之前的18个月延长到了2.5年甚至更久对于更小的晶体管结构,光刻时掩模上的纳米线结构变得更密集,逐渐超过相同光源条件下的分辨率,导致晶圆上光刻得到的结构模糊因此,芯片厂商开始转向多次曝光技术,放宽原掩膜版上的微结构间距,使用两个或两个以上的掩膜版进行曝光,最后将整套晶体管刻蚀到晶圆上

虽然ASML计划明年制造下一代高NA掩模对准器的原型,但它是世界尖端产业的产品它们非常复杂,巨大且昂贵——每架都将耗资4亿多美元,仅运输一项就需要三架波音747来装载

此外,高NA不仅需要新的光学器件,还需要新的光源材料,比如德国蔡司在真空中制作的,由抛光超光滑曲面反射镜组成的光学系统,甚至需要新的更大的厂房来容纳这种机器,这将需要大量的投资。

但为了保持半导体在性能,功耗,面积,成本上的优势,领先厂商还是愿意为新技术买单,这对后3nm的关节意义重大因此,无论是英特尔,三星还是TSMC,对它的需求都非常高

几周前,ASML披露了其2022年第一季度的财务报告,称其收到了多家客户的高NA Twinscan EXE:5200系统订单。

据路透社报道,上周,ASML澄清说,他们已经获得了5个高NA产品的试点订单,预计将于2024年交付,还有超过5个具有更高生产率的后续型号的订单需要从2025年开始交付。

有趣的是,早在2020 ~ 2021年,ASML就表示已经收到三家客户的高NA意向订单,总共提供多达12套系统目前可以肯定的是,2020—2021年预产高NA机,英特尔,三星,TSMC一定会胜出

此外,ASML已经开始生产其首个高NA光刻系统,预计将于2023年完成,并将用于Imec和ASML客户的研发。

ASML首席执行官彼得·温宁克表示,我们在高NA EUV取得了良好的进展,我们已经开始在维尔德霍文新的无尘空间建造第一台高NA平版印刷机在第一季度,我们收到了许多EXE:5200系统的订单这个月我们还额外收到了一个EXE:5200的订单目前,我们有来自三个逻辑芯片和两个存储芯片客户的高NA订单EXE:5200是ASML的下一代高NA系统,它将为光刻技术的性能和生产率提供下一步发展

ASML的Twinscan EXE:5200比普通的Twinscan NXE:3400C机器复杂得多,因此建造这些机器也需要更长的时间该公司希望在未来中期交付20套高NA系统,这可能意味着其客户将不得不参与竞争

我们还在与我们的供应链合作伙伴讨论,以确保中期内大约20个EUV 0.55NA系统的交付能力,温宁克说。

到目前为止,唯一确认使用ASML高NA光刻机的是Intel 18A node英特尔计划在2025年进入大规模生产,ASML将在那时开始交付其高NA EUV系统可是最近,英特尔已经将其18A的生产计划推迟到2024年下半年,并表示可以使用ASML的Twinscan NXE:3600D或NXE:3800E生产,可能通过多次曝光模式

从这个角度来看,英特尔的18A技术无疑将大大受益于高NA EUV工具,但它并不是完全离不开Twinscan EXE:5200机器在商业上,虽然18A不一定需要新机器,但多重曝光模式意味着更长的产品周期,更低的生产率,更高的风险,更低的产量和更激烈的竞争所以英特尔也一定希望它的18A节点早日到来,重铸昔日辉煌,从TSMC手中夺回昔日地位

每个4亿美元:由ASML开发的下一代高NA掩模对准器预计将在2023年上半年推出。

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